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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB067N08N3 G 

产品描述

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

内部编号

173-IPB067N08N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

 数量:790
10+¥10.849
20+¥10.2505
100+¥9.652
200+¥9.557
500+¥9.462
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货，5-8个工作日送达.
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#2

 数量:880
10+¥10.849
20+¥10.2505
100+¥9.652
200+¥9.557
500+¥9.462
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货，5-8个工作日送达.
立即询价

#3

 数量:1890
1+¥11.966
10+¥10.1882
100+¥8.1369
500+¥7.1112
1000+¥5.9283
2000+¥5.5043
5000+¥5.2992
10000+¥4.8958
最小起订量:1
美国加州
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立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

IPB067N08N3 G产品详细规格

规格书 IPB067N08N3 G datasheet 规格书
IPx067,70N08N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 80V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 80A
Rds（最大）@ ID，VGS 6.7 mOhm @ 73A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3.5V @ 73µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 56nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 3840pF @ 40V
功率 - 最大 136W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-2
包装材料 Tape & Reel (TR)

IPB067N08N3 G系列产品

型号厂家产品描述
IPB067N08N3G infineon technologies Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB067N08N3GATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R

IPB067N08N3 G也可以通过以下分类找到

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